第十三屆中國國際半導體照明論壇

　　以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料已引發全球矚目，成為全球半導體研究前沿和熱點。第三代半導體具備禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優越性能，是固態光源、下一代射頻和電力電子器件的“核芯”，在半導體照明、消費類電子、5G移動通信、智能電網、軌道交通、雷達探測等領域有廣闊的應用前景。預計到2020年，第三代半導體技術應用將在節能減排、信息技術、國防三大領域催生上萬億元的潛在市場。

　　2016年11月15日至17日，第十三屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA2016)將在北京國際會議中心召開，并將與由中國科技部與北京市人民政府主辦的2016中國(北京)跨國技術轉移大會暨第三代半導體國際論壇(以下簡稱“跨國技術轉移大會”)同期同地舉行。

　　其中，大會舉辦期間將從技術、產業、應用等全鏈條策劃，通過高峰論壇、專題研討、應用峰會、合作論壇和創新大賽等多種形式，圍繞第三代半導體的前沿發展和技術應用設置多個專場重點討論。其中圍繞氮化鎵及其它新型寬禁帶半導體電力電子器件技術設置了專題分會。

　　此次分會采用召集人+主席+分會團的模式，山東大學校長、教授張榮與北京大學物理學院教授，北京大學寬禁帶半導體聯合研究中心主任、中國物理學會發光分會理事張國義領銜擔任召集人，匯聚全球頂級專家精英，打造一場氮化鎵等第三代半導體電力電子器件的盛會。

　　弗吉尼亞理工大學教授、美國工程院院士FredLee將擔任分會外方主席，FredLee主要研究領域包括高頻功率轉換，磁學和電磁干擾，分布式電源系統，可再生能源，電能質量，高密度電子封裝和集成，以及建模與控制。

　　此次分會還匯集行業內強有力的分會團，為分會提供不同角度的高階支持。分會成員沈波，北京大學物理學院副院長，北京大學寬禁帶半導體聯合研究中心副主任、教授，1995年開始從事III族氮化物寬禁帶半導體物理、材料和器件研究，1997年以來主要從事GaN基異質結構材料生長、二維電子氣物性研究和高溫功率器件研制，揭示了強極化、高能帶階躍體系中二維電子氣輸運規律，在氮化物異質結構生長和電子器件研制上取得重要進展。先后主持了國家“973”計劃項目、國家“863”計劃項目、國家自然科學基金等20多項科研項目。

　　分會成員張進成，西安電子科技大學教授，主要研究方向為寬禁帶半導體材料與器件。先后承擔和作為主要負責人參加了省部級以上科研項目20余項。其中，作為負責人主持國家級項目2項、省部級項目4項。作為主要負責人之一，成功研制出我國具有自主產權的低缺陷氮化物材料生長的表面反應增強MOCVD和高鋁組份GaN異質結構微波材料，性能指標達到了國際先進水平。

　　分會成員李順峰，北京大學東莞光電研究院副院長，曾先后在德國卡爾斯魯厄大學以及布倫瑞克工業大學從事III族氮化物及III-V化合物半導體材料、結構和器件的生長以及工藝的研究和開發。參與和領導了歐盟第七框架項目、德國教育科研部以及德國研究基金等多個項目的研究。2012年10月回國擔任北京大學東莞光電研究院副院長，負責研究院的科研工作及建設。同時，領導III族氮化物微結構器件以及高性能封裝材料的研究。

　　分會成員陳敬，香港科技大學教授，曾在日本NTTLSI實驗室和美國安捷倫科技從事III-V高速器件技術研發工作，自2000年起在香港科技大學任教，他所帶領的團隊目前的研究重點在于開發電力電子、無線電/微波及耐高溫電子應用等方面的GaN器件技術。他同時是IEEE會士，現為IEEE電子器件學會復合半導體器件與IC技術委員會成員。

　　分會成員張韻，中科院半導體研究所所長助理、研究員、博導。曾在美國高平(Kopin)半導體公司III-V部門從事研發工作，具備多年GaN、GaAs基器件的設計、制造工藝及器件物理分析經驗。2006年至2010年，參與完成與美國國防部先進研究項目局(DARPA)在深紫外光電探測器領域的項目“DeepUltravioletAvalanchePhotodetectors(DUVAP)”，及DARPA部署在可見光波段激光器領域的項目“VisibleInGaNInjectionLasers(VIGIL)”。在光電子器件領域取得了豐碩成果的同時，在GaN基大功率電子器件方面也有豐富的經驗和世界領先的成果。

　　分會成員張國旗，荷蘭代爾夫特理工大學教授,國家千人計劃,IEEEFellow，國家第三代半導體聯盟專家委員會成員,IEEE“國際寬禁帶半導體技術路線圖委員會”秘書長,國際半導體照明聯盟(ISA)咨詢委員會共同主席，歐洲微納米可靠性中心副主任,中科院半導體所名譽教授，半導體照明聯合創新國家重點實驗室外方主任,中國電子學會制造與電子封裝技術分會副理事長。

　　陣容強大，精彩報告也是必備。分會外方主席、弗吉尼亞理工大學教授、美國工程院院士FredLee，分會成員、香港科技大學教授陳敬，名古屋工大教授江川孝志，晶湛半導體、國家千人計劃專家程凱，中科院蘇州納米所研究員、中組部首批國家“青年千人計劃”、國家技術發明一等獎獲得者孫錢，中山大學教授劉揚，臺灣交通大學教授、副校長兼國際半導體產業學院院長張翼等國內外專家聯袂帶來精彩特邀報告，分享最新研究成果。

　　其中，名古屋工大教授江川孝志當前的主要研究領域是氮化鎵和砷化鎵異質外延金屬及其對電子和光學器件的應用。他至今已在眾多國際期刊上發表或共同發表了超過260篇著作。他也是日本應用物理學會、日本電器學會及IEEE會士。他于1991年獲得了日本電器學會電氣學會振興獎和小平紀念獎;1996年被日本激光協會授予鐳射研究業績獎;2010年他被文部科學省的日本結晶成長學會授予第17回技術獎;2013年獲得井上春成獎。

　　中科院蘇州納米所研究員、中組部首批國家“青年千人計劃”、國家技術發明一等獎獲得者孫錢，2011年入選中組部首批國家“青年千人計劃”，十余年以來一直致力于寬禁帶半導體GaN基材料生長及新型高效LED、激光器、GaN基功率電子器件等的研發與產業化，并取得了驕人的成績，比如其在美國硅谷的普瑞光電公司工作期間，在8英寸硅襯底上實現了160流明/瓦的高光效GaN基LED?；貒笈c晶能光電有限公司進行產學研實質性合作，兼任公司硅襯底GaN基LED研發副總裁，帶領團隊成功研發出新一代硅襯底GaN基高效LED的外延及芯片工藝技術，并在全球率先成功產業化。2015年實現了國際上第一支硅襯底GaN基藍紫光激光器(氮化物半導體的另一種重要光電器件)的電注入室溫連續激射，有望大幅降低GaN基激光器的制造成本，而且還為硅基光電集成提供了一種新的技術路線。在Si襯底氮化物電力電子方面，孫錢的課題組研發的硅基氮化物外延材料的擊穿電壓已突破1500V，并且通過P型柵實現了增強型電力電子器件。